픽셀 설계 놀이터

종합 픽셀 설계 도구입니다. BSI CMOS 픽셀의 모든 파라미터 — 실리콘 두께부터 BARL 서브레이어까지 — 를 구성하고 QE, 반사율, 에너지 버짓, 스택 구조에 대한 복합 효과를 확인하세요.

Pixel Design Playground

Configure all pixel parameters and explore multi-panel results: QE spectra, layer stack visualization, and energy budget analysis powered by TMM.

PresetBSI 1um (default)BSI 0.8um (thin Si)High QE (thick Si)Custom

Pixel Parameters

Pixel pitch: 1.0 um

Silicon thickness: 3.0 um

BARL Parameters ▼

SiO2 #1: 10 nm

HfO2: 25 nm

SiO2 #3: 15 nm

Si3N4: 30 nm

Color Filter

CF thickness: 0.60 um

Channel:

Top Layers ▼

Planarization: 0.30 um

Microlens: 0.60 um

Simulation Settings

Angle of incidence: 0deg

Polarization:

Peak QE R

80.3%

Peak QE G

90.4%

Peak QE B

68.1%

Avg QE (vis)

22.7%

Avg Reflectance

7.2%

Stack Height

4.58 um

설계 가이드라인

QE 최대화

1. 두꺼운 실리콘 (3-4 μm) — 적색/NIR 흡수 향상
2. 최적화된 BARL — 계면 반사 최소화
3. 얇은 컬러 필터 — 통과대역 외부의 기생 흡수 감소
4. 저손실 평탄화 레이어

크로스토크 최소화

1. 컬러 필터 흡수를 높게 유지 (날카로운 스펙트럼 에지를 가진 두꺼운 CF)
2. 실리콘 투과광 감소 (장파장에서 얇은 Si에 해당)

TIP

프리셋으로 시작하여 한 번에 하나의 파라미터를 조정하면서 효과를 이해하세요. "BSI 1μm"과 "High QE" 프리셋을 비교하여 실리콘 두께와 BARL 최적화의 영향을 확인하세요.