마이크로렌즈 공정 형상 예측

Lithography layout, thermal reflow, etch-transfer 조건이 CIS 마이크로렌즈의 최종 gap, height, curvature, 3D profile에 주는 영향을 추정합니다.

마이크로렌즈 공정 형상 예측기

레이아웃 gap, reflow budget, etch-transfer 조건이 CIS 마이크로렌즈의 최종 gap, 높이, profile에 어떤 방향으로 작용하는지 살펴봅니다.

레이아웃 및 resist

픽셀 피치: 1.10 um

마스크 island 폭: 0.88 um

Resist 두께: 0.42 um

개구 형상

렌즈 unit 배치

Thermal reflow

Reflow 온도: 170 C

Reflow 시간: 90 s

렌즈 굴절률: 1.55

Etch transfer

Mask 두께: 0.45 um

Polymerizing gas: 55%

Etch 시간: 55 s

보정 계수

AFM/SEM 또는 DOE 데이터에 surrogate를 맞출 때 쓰는 multiplier입니다. 실측 profile이 공정별 보정을 뒷받침하기 전에는 1.0 근처에서 사용하세요.

Reflow spread gain: 1.00x

Volume retention gain: 1.00x

Lateral etch gain: 1.00x

Vertical loss gain: 1.00x

인접 결합 gain: 1.00x

Microloading gain: 1.00x

초기 gap0.220 um

Reflow 후 gap0.102 um

최종 gap0.000 um

최종 높이0.538 um

Vertex ROC0.55 um

f-numberf/0.91

Fill factor91.0%

높이 보존율90%

Zero-gap etch18 s

Profile exponent2.24

장단축비 (WX:WY)1.00

최악 reflow gap0.102 um

렌즈 unit1x1

Lateral rate2.85 nm/s

Height-loss rate0.18%/s

zero-gap 후보over-etch margin

단면 행:4x4 grid를 좌→우로 가로지른 단면

모델 메모: 이 모델은 foundry recipe가 아니라 사용자가 보정해 쓰는 surrogate입니다. Volume-conserving reflow, parabolic/superellipse cap, DOE식 etch 경향을 결합합니다. Etch time은 gap closure를 키우고, polymerization은 주로 height 보존에, mask thickness는 transfer robustness에 영향을 준다고 둡니다. 정량 의사결정 전에는 calibration gain을 실측 gap, height, profile 데이터에 맞춰야 합니다.

모델 범위

이 브라우저 도구는 surrogate process model이며 calibrated foundry recipe가 아닙니다. 공정 방향성, 민감도, failure mode를 이해하는 용도로 사용하세요. 정량 공정 판단에 쓰려면 wafer metrology 데이터로 계수를 다시 보정해야 합니다.

이 도구가 추가하는 것

기존 COMPASS 마이크로렌즈 도구는 주어진 lens geometry에서 시작합니다. 이 도구는 그보다 한 단계 앞의 공정 입력에서 시작합니다.

Layout: pixel pitch, lithographic island width, aperture footprint shape, 그리고 1x1, 2x1, 1x2, 2x2 on-chip-lens unit 배치 선택기 (대표 preset과 함께, die 안에서 2x2 OCL + 1x1 같은 이종 혼합을 표현할 수 있는 custom 4x4 편집기 제공).
Reflow: 온도/시간을 normalized thermal budget으로 보고, lens spread와 volume conservation 기반 height 변화를 계산. 비대칭(2x1/1x2) 마스크에는 reflow 중 photoresist가 isotropy로 이완하는 경향을 반영한 surface-tension 보정을 적용 — 장축은 덜 퍼지고, 단축은 더 퍼집니다.
Etch transfer: etch time은 residual lens gap closure를 키우고, polymerization은 height 보존에, mask thickness는 transfer robustness에 영향을 준다고 모델링.
Calibration: reflow spread, volume retention, lateral etch, vertical height-loss gain을 AFM/SEM 또는 DOE 데이터에 맞춰 보정할 수 있습니다.
혼합 레이아웃에서의 인접 결합: 면별 proximity coupling(mass-flow 비대칭)과 plasma microloading 효과로, 작은 lens는 큰 이웃 쪽으로 부풀고 큰 OCL을 마주보는 boundary에는 잔류 gap이 살짝 더 큽니다. 동일 크기 레이아웃(전체 1x1 또는 전체 2x2)에서는 두 효과 모두 0이 됩니다.
Outputs: final gap (X/Y 중 worst), height, 장단축비(WX:WY), vertex radius of curvature, f-number, fill factor, zero-gap etch-time estimate, profile exponent, cross-section, lens group마다 면별 비대칭 outline과 height heat-map을 포함한 top-down (XY) footprint view, 3D wireframe, etch response curve.

문헌 기반

Ristoiu et al., A DOE study of plasma etched microlens shape for CMOS image sensors, SPIE 2020. CIS 공정 질문에 가장 직접적인 자료입니다. Reflowed microlens를 plasma transfer하고, mask thickness, polymerizing gas flow, etch time에 따른 gap/height evolution을 DOE로 모델링합니다. DOI: 10.1117/12.2551857
Baillie and Gendler, Zero-space microlenses for CMOS image sensors: optical modeling and lithographic process development, SPIE 2004. Layout gap과 zero-space 문제의 배경이 됩니다. Lithographic space가 너무 작으면 melt/reflow 중 merger 위험이 있고, residual space는 fill factor를 낮춥니다. DOI: 10.1117/12.533453
Jin, Liu, and Yang, Design, characterization and evaluation of high performance 2.8 μm pitch zero space microlens, Optics Communications, 2011. Zero-space microlens geometry를 AFM characterization 및 silicon-level sensitivity/crosstalk test와 연결합니다. DOI: 10.1016/j.optcom.2010.11.073
Tan, Goh, and Kim, Microfabrication of Microlens by Timed-Development-and-Thermal-Reflow, Micromachines, 2020. Parabolic/superellipse profile 표현, aperture geometry, development time, diameter, thickness, radius of curvature, focal length를 regression으로 연결하는 관점을 제공합니다. DOI: 10.3390/mi11030277
Choi et al., Profile control of asymmetric reflowed microlens for CMOS image sensors, Microelectronic Engineering (2014). 2x1, 1x2 unit에 적용한 "장축은 덜 퍼지고 단축은 더 퍼진다"는 surface-tension 보정의 근거 문헌입니다. 비대칭 reflowed photoresist는 isotropy로 이완하므로, as-printed boundary gap이 같아도 reflow 이후 X gap과 Y gap이 달라집니다.
Y. Oike et al. (Sony Semiconductor Solutions), All-pixel phase-detection autofocus with 2x1 on-chip lens (Dual Pixel CMOS Image Sensor), ISSCC / IEEE JSSC. 2x1 OCL은 인접한 두 photodiode 위에 가로로 긴 하나의 lens를 공유하며, lens 장축이 PDAF 분리 방향입니다. All 2x1 (Sony 2PD) preset의 근거입니다.
J. Park et al. (Samsung), A 1/2.55-inch 1.0 μm-pixel 64-Mpixel CMOS image sensor with Tetracell color filter array, ISSCC. 같은 색 2x2 sub-pixel이 하나의 2x2 OCL을 공유하여 저조도 binning에 사용되며, 인접한 다른 색 2x2 cell과의 boundary가 merger-risk 면이 됩니다. All 2x2 (Tetracell OCL) preset의 근거입니다.
Lee et al., Covered Microlens Structure for Quad Color Filter Array of CMOS Image Sensor, Current Optics and Photonics, 2023. Mixed-size lens 배치(서브픽셀 4개 위 covered microlens 1개)를 직접 다루며, 주변 lens geometry가 광학 효율을 실질적으로 바꾸는 것을 보입니다. Top view의 면별 proximity coupling의 경험적 근거입니다. URL: https://opg.optica.org/copp/abstract.cfm?uri=copp-7-5-485
Mogab, The Loading Effect in Plasma Etching, J. Electrochem. Soc., 1977. Plasma etch loading 효과의 고전 레퍼런스 — dense pattern 영역에서 국소 etchant 소모로 lateral etch rate가 감소합니다. 큰 OCL과 맞닿은 boundary의 잔류 gap을 넓히는 microloading 항의 근거. DOI: 10.1149/1.2133486
Gottscho, Jurgensen, Vitkavage, Microscopic uniformity in plasma etching, J. Vac. Sci. Technol. B, 1992. ARDE/microloading의 기초 문헌으로, feature 간 etch-rate 차이가 국소 pattern density와 aspect ratio에 의존한다는 점이 surrogate의 면별 density 점수의 근거입니다.
Sony/Samsung/OmniVision의 on-chip-lens 설계 규칙 특허 (US8941766, US11765476, US12022217, US12069384 등) — 작은 이웃을 마주보는 OCL의 bottom을 명시적으로 넓히고 국소 CRA에 맞춰 shift합니다. 우리 surrogate의 면별 결합이 경험적으로 검증됨을 보여줍니다.

WARNING

공개 논문은 범용 CIS recipe 계수를 제공하지 않습니다. 이 시뮬레이터는 문헌의 방향성 관계를 보존하고, 나중에 DOE 또는 AFM/SEM 데이터로 치환할 수 있도록 계수를 명시한 형태입니다.

레이아웃-식각 마이크로렌즈 형상 모델

쉽게 이해하기

먼저 포토레지스트 island가 인쇄됩니다. 가열하면 표면장력이 이를 둥근 렌즈 cap으로 만들고, 같은 재료 체적이 더 넓게 퍼질수록 cap 높이는 낮아지는 경향이 있습니다. 그 다음 plasma etch가 이 cap을 목표층으로 전사합니다. Etch 시간이 길면 렌즈 사이 valley를 없앨 수 있지만 동시에 렌즈가 납작해질 수 있습니다. 따라서 유효 공정 창은 zero gap, 충분한 높이, 적절한 곡률, lens merger 회피 사이의 절충입니다.

이 페이지는 마이크로렌즈 형성을 lithography resist 체적, 체적 보존형 thermal reflow, 그리고 잔류 gap을 닫는 동시에 높이를 손실시키는 plasma etch transfer의 3단계 surrogate로 봅니다. 목표는 foundry recipe가 아니라, 나중에 AFM/SEM 계측으로 보정할 수 있는 투명한 모델입니다.

모델 가정

Resist island는 pitch, mask width, thickness, footprint-shape exponent로 표현하며, local corner rounding과 stochastic CD variation은 직접 풀지 않습니다.
Reflow는 체적 제약을 받으며 정규화된 온도/시간 budget에 대해 단조적으로 변한다고 두고, 계수는 사용자가 보정하는 surrogate parameter입니다.
Etch transfer는 CIS plasma-etch 문헌의 DOE 변수에 맞춰 lateral gap closure와 vertical height loss로 분리합니다.
Lens unit은 1x1, 2x1, 1x2, 2x2 셀이며 boundary gap이 일정하다는 규약을 씁니다 (슬라이더의 boundary gap은 unit 크기와 무관하게 인접 lens 사이에 동일하게 적용). Die 안에서의 이종 혼합은 4x4 grid 편집기로 다루며, 물리적으로는 1x1/2x1/1x2/2x2 사각형 그룹만 의미가 있습니다.
2x1, 1x2 lens unit에는 표면장력 보정이 적용되어 장축은 덜, 단축은 더 퍼집니다. 비대칭 reflowed photoresist의 평형 형상 거동과 일치하는 방향입니다.

출력값

대표 lens unit (예: 2x2 OCL이 있으면 그것) 기준의 초기 gap, reflow 후 gap, 최종 gap (X/Y 중 worst), 최종 높이, 장단축비(WX:WY), fill factor, vertex radius, f-number 근사, profile exponent, zero-gap etch-time 추정값을 출력합니다.
Lens unit 한 행을 가로지른 단면, lens group마다 mask/reflow/final footprint를 superellipse로 그리고 height를 viridis로 색칠한 top-down (XY) view, 3D surface wireframe, gap 및 height retention의 etch-time response curve를 보여줍니다.

검증 예제

Reflow 조건을 고정하면 etch time 증가에 따라 $g_f$는 감소하고 height retention은 낮아져야 합니다. 계측이 반대 경향이면 lateral/vertical etch gain을 따로 재피팅해야 합니다.
Etch 조건을 고정하면 reflow spread gain 증가는 residual gap을 줄이지만 체적 보존 때문에 height를 낮춰야 합니다.

핵심 수식

Lithography 시작 gap

$$g_0 = \max(0, p - w_m)$$

$g_0$: 인접 resist island 사이의 초기 간격
$p$: 픽셀 pitch 또는 마이크로렌즈 어레이 pitch
$w_m$: 허용 pitch 범위로 제한된 lithographic mask island 폭

작은 layout gap은 광학 fill factor에는 유리하지만 reflow 중 resist island가 닿거나 합쳐질 위험을 키웁니다.

정규화된 reflow budget

$$B_r = c_T \hat{T} + c_t \hat{t}, \quad \hat{T}=\frac{T_r-T_{\min}}{T_{\max}-T_{\min}}, \quad \hat{t}=\frac{\log(1+t_r/t_0)}{\log(1+t_{\max}/t_0)}$$

$B_r$: 시뮬레이터가 사용하는 무차원 reflow budget
$T_r$: Reflow 온도
$t_r$: Reflow 시간
$c_T, c_t$: 온도 및 시간 가중치; 기본값은 범용 kinetics가 아니라 방향성 surrogate입니다.

로그 시간 항은 초기 reflow 변화가 장시간 soak 변화보다 크도록 하며, 많은 resist reflow 공정의 정성적 거동과 맞습니다.

Reflow spread 및 잔류 gap

$$\Delta_r = G_r B_r(k_0+k_h h_0+k_g g_0), \quad w_r=\min(1.04p, w_m+2\Delta_r), \quad g_r=\max(0,p-w_r)$$

$\Delta_r$: Reflow 중 한쪽 방향 lateral spread
$G_r$: Reflow spread gain에 대한 사용자 보정 multiplier
$h_0$: 초기 resist 두께
$w_r$: Reflow 후 렌즈 footprint 폭
$g_r$: Reflow 후, etch transfer 전 gap

상수들은 의도적으로 surrogate coefficient로 둔 것입니다. 실제 공정에서는 DOE fitting 값으로 치환해야 합니다.

2x1 / 1x2 lens unit의 비등방 spread

$$\Delta_{r,x}=\Delta_{r,x}^{0}-\tau, \quad \Delta_{r,y}=\Delta_{r,y}^{0}+\tau, \quad \tau=k_{\sigma}B_r\,\frac{w_{m,x}-w_{m,y}}{w_{m,x}+w_{m,y}}\,\overline{\Delta_r^{0}}$$

$\Delta_{r,x},\Delta_{r,y}$: 표면장력 보정 적용 후 축별 reflow spread
$\Delta_{r,x}^{0},\Delta_{r,y}^{0}$: 1x1 케이스와 동일한 surrogate로 X·Y에서 독립 계산한 gap 기반 기본 spread
$w_{m,x},w_{m,y}$: Lens unit의 X·Y 마스크 폭 (boundary gap 일정 규약: W_x \times W_y unit에 대해 w_{m,x}=W_x\cdot p-g_b, w_{m,y}=W_y\cdot p-g_b)
$k_{\sigma}$: 표면장력 보정 강도 (1x1, 2x2에서는 0; 마스크가 비대칭일 때만 0이 아님)

비대칭 reflowed photoresist는 isotropy 평형 형상으로 이완하므로, 장축은 등방 예측보다 덜 퍼지고 단축은 더 퍼집니다. 대칭 unit (1x1, 2x2)에서는 보정 항이 0이 되어 이전 수식과 같아집니다.

혼합 lens-unit 레이아웃에서의 면별 인접 결합

$$\sigma_s = \frac{A_N - A_G}{A_N + A_G}, \quad \delta\Delta_{r,s} = k_m\,B_r\,\sigma_s, \quad \delta g_s = k_\ell\,v_{\ell,0}\,t_e\,\rho_s, \quad \rho_s = \max\!\Big(0,\tfrac{A_G + A_N - 2}{6}\Big)$$

$\sigma_s$: 면별 형상 비대칭 파라미터. 면 s 의 이웃이 더 크면 양수, 같은 크기 또는 grid 가장자리면 0
$A_G, A_N$: 이 그룹과 면 s 이웃의 셀 면적 (1, 2, 4 중 하나). Grid 가장자리는 A=1로 처리
$\delta\Delta_{r,s}$: 면 s 방향의 추가 lateral reflow spread. mass-flow 계수 k_m과 thermal budget B_r에 비례하고, 큰 이웃 쪽으로 lens edge가 부풀어 오름
$\delta g_s$: 면 s 의 추가 잔류 gap. dense neighborhood가 국소 etchant를 소모해 lateral closure를 둔화시킴
$\rho_s$: 면 s의 국소 pattern-density 점수. 두 개의 1x1 cell이면 0, 두 개의 2x2 OCL이면 1로 정규화
$k_m, k_\ell$: 사용자가 조정 가능한 proximity-coupling, microloading gain. 어느 한쪽을 0으로 두면 독립 lens 모델로 환원

두 효과 모두 동일 크기 레이아웃(모두 1x1, 모두 2x2)에서는 0이 됩니다. 혼합 레이아웃 (예: 1x1 옆에 2x2 OCL)에서는 작은 lens가 큰 이웃 쪽으로 부풀고 (Choi et al.; Stanford E241 survey), microloading 때문에 그 boundary의 gap은 1x1–1x1 boundary보다 살짝 큽니다 (Mogab 1977; Gottscho 1992). Sony, Samsung, OmniVision의 OCL 설계 규칙 특허들이 이를 경험적으로 반영합니다.

체적 제약 기반 reflow 높이

$$V_0 \approx A_m h_0, \quad V_r \approx C_{\text{cap}} A_r h_r, \quad h_r \approx \frac{G_v\eta_v A_m h_0}{C_{\text{cap}}A_r}$$

$V_0, V_r$: Reflow 전후 resist 체적
$A_m, A_r$: Mask island 면적 및 reflow 후 렌즈 footprint 면적
$C_{\text{cap}}$: Cap profile의 형상 계수; 포물면 cap과 구면 cap은 다른 값을 가집니다.
$G_v$: 유효 체적 보존에 대한 사용자 보정 multiplier
$\eta_v$: Reflow 후 유효 체적 보존율
$h_r$: Etch transfer 전 reflow 렌즈 높이

핵심 물리 제약입니다. Footprint가 체적보다 빠르게 커지면 렌즈 높이는 낮아져야 합니다.

Etch-transfer gap closure 및 height loss

$$g_f=\max(0,g_r-2G_{\ell}v_{\ell,0}t_e), \quad h_f=h_r(1-L_e), \quad L_e=\operatorname{clip}(G_z v_{z,0} t_e,0,L_{\max}), \quad t_{zg}=\frac{g_r}{2G_{\ell}v_{\ell,0}}$$

$g_f$: Etch transfer 후 최종 gap
$h_f$: 전사 후 최종 렌즈 높이
$G_{\ell},G_z$: Lateral etch closure 및 vertical height loss에 대한 사용자 보정 multiplier
$v_{\ell,0},v_{z,0}$: 정규화 surrogate의 기본 lateral closure 및 vertical flattening rate
$t_e$: Etch 시간
$t_{zg}$: Clipping 전 zero gap 도달에 필요한 추정 etch 시간

이 surrogate에서 polymerizing gas는 lateral gap closure를 키우고 height loss를 줄이며, mask thickness는 transfer robustness를 바꿉니다. 네 개의 gain은 DOE fitting knob입니다.

최종 3D 표면 profile

$$\rho=\left[\left|\frac{x}{a}\right|^n+\left|\frac{y}{a}\right|^n\right]^{1/n}, \quad z(x,y)=h_f\max(0,1-\rho^q)$$

$\rho$: 정규화된 superellipse 반경
$a$: 최종 lens footprint의 반폭 또는 개구 반경
$n$: Footprint 지수: 2는 원형, 더 큰 값은 rounded-square 또는 square footprint에 가까워집니다.
$q$: 가장자리 기울기와 cap flatness를 제어하는 profile 지수

2D layout aperture를 wireframe view에서 쓰는 3D height field와 연결합니다.

곡률, 초점거리, f-number 근사

$$R_{\text{vtx}}\approx\frac{a^2+h_f^2}{2h_f}, \quad f\approx\frac{R_{\text{vtx}}}{n_{\ell}-1}, \quad N\approx\frac{f}{2a}$$

$R_{\text{vtx}}$: 구면 cap 근사로 추정한 꼭짓점 곡률 반경
$f$: Thin-lens 초점거리 근사값
$n_{\ell}$: 마이크로렌즈 굴절률
$N$: 마이크로렌즈 f-number 근사값

광학 수치는 screening metric입니다. 회절, 유한 stack 두께, CRA shift는 ray tracing 또는 EM simulation이 필요합니다.

모델 해석

모델은 layout-limited gap, reflow-limited spread/height, etch-limited transfer loss를 분리해 각 failure mode가 보이도록 합니다.
Zero gap이 항상 좋은 것은 아닙니다. 과도한 reflow는 lens merger를 만들 수 있고, 과도한 etch는 sag를 지워 집광을 약화시킬 수 있습니다.
브라우저 결과는 calibration 전에는 release된 공정 recipe가 아니라 process-window map으로 해석해야 합니다.

이 surrogate를 보정하는 방법

Mask thickness, polymerizing gas flow, etch time DOE grid에서 AFM/SEM으로 $g_f$, $h_f$, footprint width, profile exponent를 측정합니다.
먼저 pre-etch 또는 short-etch sample로 reflow coefficient를 맞추고, etch-time sweep으로 $v_{\ell}$ 및 $v_z$를 fitting합니다.
예측된 $R_{\text{vtx}}$, $N$, fill factor를 ray-trace collection 또는 silicon-level QE/crosstalk data와 비교해 optical proxy를 검증합니다.

레퍼런스가 제공하는 역할

Ristoiu et al.은 여기서 쓰는 DOE 변수, 즉 mask thickness, polymerizing gas, etch time이 최종 microlens gap/height를 움직인다는 근거를 제공합니다.
Baillie and Gendler는 zero-space 문제를 정의합니다. Residual space는 optical fill factor를 낮추지만, lithographic space가 너무 작으면 reflow merger가 발생할 수 있습니다.
Jin, Liu, Yang은 zero-space microlens geometry를 AFM characterization 및 sensor-level sensitivity/crosstalk test와 연결합니다.
Tan, Goh, Kim은 thermal-reflow microlens fabrication에서 aperture geometry와 regression 기반 모델링 관점을 뒷받침합니다.
Choi et al.은 2x1, 1x2 lens unit에 적용한 표면장력 보정의 근거를 제공합니다. 비대칭 reflowed resist는 isotropy 평형으로 진화하므로, as-printed boundary gap이 같아도 X와 Y spread가 달라집니다.
Sony의 2x1 on-chip-lens (Dual Pixel) 연구는 All 2x1 (Sony 2PD) preset의 동기입니다. 모든 픽셀의 phase-detection autofocus를 위해 인접 두 photodiode가 가로로 긴 하나의 lens를 공유합니다.
Samsung Tetracell ISSCC 연구는 All 2x2 (Tetracell OCL) preset의 동기입니다. 같은 색 2x2 sub-pixel이 하나의 2x2 OCL을 공유해 저조도 binning에 쓰며, 인접한 다른 색 2x2 cell과의 boundary가 merger-risk 면이 됩니다.
Lee et al. (Covered Microlens)은 Quad-CFA에서 큰 microlens 한 개가 작은 픽셀 여러 개 위에 놓이는 구조를 직접 다루며, 주변 lens geometry가 광학 효율을 어떻게 바꾸는지 보입니다. Top view의 면별 결합과 비대칭 footprint 시각화의 근거입니다.
Mogab(loading effect)과 Gottscho et al.(plasma etching의 microscopic uniformity)은 microloading 항의 근거입니다. dense neighborhood가 etchant를 소모해 lateral closure를 둔화시키므로, 큰 OCL과 맞닿은 boundary는 두 1x1 사이 boundary보다 잔류 gap이 살짝 큽니다.
Sony/Samsung/OmniVision OCL 설계 규칙 특허(US8941766, US11765476, US12022217, US12069384 등)는 작은 이웃을 마주보는 OCL의 bottom을 명시적으로 넓히고 국소 CRA에 맞춰 shift합니다. surrogate의 면별 결합을 경험적으로 검증해 줍니다.

아직 빠진 물리

이 모델은 표면장력 유체역학, resist viscosity, contact-angle pinning, plasma sheath chemistry를 직접 풀지 않습니다. 인접 lens 간 결합은 (sigma + density) 형태의 effective surrogate로만 다루며 인접 island 간 Young–Laplace 흐름을 풀지는 않습니다.
Color-filter topography, wafer-edge non-uniformity, CRA 보정용 lens shift는 포함하지 않습니다.
이 페이지는 DOE 영역 선택에 사용하고, device-performance 주장은 실측 profile과 optical simulation을 함께 사용해야 합니다.

마이크로렌즈 공정 형상 예측 ​